当今世界，科技发展日新月异，科学新概念层出不穷，新技术工艺相继闪亮登场。纳米材料、信息技术、生物制药、节能环保科技领域的创新和研发引人注目，鼓舞人心。一项新的科技发明会在不知不觉中改变我们的生活，影响社会发展的历程。

　　近日，俄罗斯《大众机械》杂志撰文指出，以下科技新技术会使人类生活因此而更加完美无缺。

　　相变随机闪存(PRAM)

　　手机、手提电脑等移动设备对存储器的要求，与服务器和台式电脑等截然不同。长期以来，人们对这些移动设备存储器的主要性能要求是低成本、低功耗以及非易失性。

　　但是，由于目前开发的各类存储器都有其自身缺陷，因而没有一款能够完全满足上述所有要求。例如，动态随机存储器成本低且能够随机访问，但遗憾的是存在易失性，即断电后会发生数据丢失；充当缓存的静态随机存储器读写速度快且能够随机访问，但缺点是成本较高；相比之下，闪存成本低且具有非易失性特点，然而苦于速度慢又无法随机访问。除此之外，目前的闪存制造技术也无法生产出存储容量超过16G的产品。

　　最新兴起的相变随机闪存技术，类似于CD和CD驱动器中所采用的技术。在PRAM中，电流将硫化薄膜加热至晶态或非晶态，因两种状态下的电阻率有很大差别，从而可判读为0或1，只要在上面施加少量的复位电流就能触发这两个状态的切换。

　　在现有的电子产品中，广泛使用的非易失性闪存有NOR和NAND两种：NOR闪存适合直接运行软件，但它的速度较慢，而且造价昂贵；NAND闪存容易大规模制造，更适合存储大容量文件，如MP3音乐文件等。PRAM闪存则采用垂直二极管和三维晶体管结构，不需要在储存新数据前擦除旧数据，因而是非易失性的，也就是说，在电子设备关闭时仍能保存数据。

　　目前，三星公司在PRAM领域的研发处于世界领先水平，2006年已经展示了它的初级产品，这些新产品比现有普通闪存快30倍以上。三星公司表示，PRAM产品有望在2008年上市，它极有可能将成为NOR闪存的最终替代品。

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