2007年中国半导体照明产业数据

字号显示：大中小　　2008-03-18 10:50:00　　来源：中国半导体照明网

　　目前国内研究水平为小功率芯片90lm/W、功率型芯片70 lm/W，功率型芯片产业化水平达到60lm/W，更加接近国际产业化水平。在衬底制备、外延生长、芯片工艺等方面掌握了一批具有自主知识产权的技术。功率型白光封装在封装结构设计、散热、透镜、荧光粉涂敷等方面取得重要研究进展，采用国外芯片封装后光效可达70-80lm/W，达到国际产业化水平。但国内稳定、批量，特别是高品质的生产技术需要进一步提高。

国内外功率型白光LED技术指标对比（2007年12月）

分类	发光效率(lm/W) @350mA	显色指数
目前国内产业水平	60～68	>80
“十五”末国内产业水平	30～40	>70
韩国、我国台湾地区	60～70	>80
美、日、欧	70～80	>80

　　值得注意的是，国际半导体照明核心专利的纠纷开始直接影响国内企业。美国相关研究机构最近通过申请“337调查”，开始利用专利制造贸易壁垒，已经直接涉及6家中国企业，这说明国内企业置身国际专利纠纷之外的境况已经改变，国内相关企业应该尽快调整专利战略。

　　2007年也是国内半导体照明产业投资迅速增加的一年，从中上游外延芯片、下游封装应用到相关材料和辅助产业的投资都有很大的增长。据不完全统计，2007年国内半导体照明产业相关新增投资近40亿元，而规划中的投资则超过150亿以上。同时企业融资渠道呈现出多元化趋势，引进战略投资、风险投资、境外上市、借壳上市、收购兼并等资本运作方式必将带来我国产业格局的新变化。

（编辑谢光玲）

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